|
Класс 24 - Вещества
химические, продукты химические и волокна химическиеПодклассы и группы 66 - Продукты химические, не
включенные в другие группировки, прочиеПодгруппа и виды 43 - Кремний легированный в форме
дисков, пластин или в аналогичных формах для использования в
электронике<< Вверх
24.66.43.110 Кремний легированный в форме
дисков, пластин или в аналогичных формах для использования в
электронике |
24.66.43.111 Пластины кремниевые литые |
24.66.43.112 Пластины кремниевые монокристаллические |
24.66.43.113 Структуры кремниевые эпитаксиальные с нанесенным однородным
эпитаксиальным слоем |
24.66.43.119 Кремний легированный в форме дисков, пластин или в аналогичных
формах для использования в электронике прочий |
24.66.43.120 Элементы химические (кроме
кремния) в форме дисков, пластин или в аналогичных формах и
соединения химические легированные, используемые в электронике
(кроме легированного кремния) |
24.66.43.121 Германий легированный в форме дисков, пластин или в аналогичных
формах |
24.66.43.122 Арсенид галлия легированный, кроме дисков, пластин |
24.66.43.123 Арсенид индия легированный, кроме дисков, пластин |
24.66.43.124 Антимонид индия легированный, кроме дисков, пластин |
24.66.43.125 Антимонид галлия легированный, кроме дисков, пластин |
24.66.43.126 Фосфид галлия легированный, кроме дисков, пластин |
24.66.43.127 Фосфид индия легированный, кроме дисков, пластин |
24.66.43.128 Пластины фосфида галлия |
24.66.43.131 Пластины арсенида галлия |
24.66.43.132 Пластины антимонида индия |
24.66.43.133 Пластины монокристаллического карбида кремния |
24.66.43.139 Пластины прочих полупроводниковых соединений |
24.66.43.141 Соединения полупроводниковые типа А2B6 |
24.66.43.142 Соединения полупроводниковые на основе элементов пятой группы
(трехкомпонентных систем) |
24.66.43.143 Соединения полупроводниковые на основе элементов третьей группы
(трехкомпонентных систем) |
24.66.43.149 Соединения полупроводниковые легированные, не включенные в другие
группировки, прочие |
24.66.43.151 Структуры полупроводниковых соединений с нанесенным однородным
эпитаксиальным слоем |